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元器件采购网 > N-146页 > RF 晶体管 (BJT)NE85619-T1-A

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NE85619-T1-A

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NE85619-T1-A参数
产品类别:分离式半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
说明:TRANSISTOR NPN 1GHZ SMD
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
频率 - 转换:4.5GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益:6.5dB ~ 12.5dB
功率 - 最大:100mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 20mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
安装类型:表面贴装

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